Típusjelölő: IRFPG50
Tranzisztor típusa: MOSFET
Vezérlőcsatorna típusa: N-csatorna
Pd ? - Maximális teljesítményveszteség: 190 W
|Vds|? - Maximális drain-source feszültség: 1000 V
|Vgs|? - Maximális gate-source feszültség: 20 V
|Id| ? - Maximális drain áram: 6,1 A
Tj ? - Maximális csatlakozási hőmérséklet: 150 °C
tr ? - Emelkedési idő: 35 nS
Coss? - Kimeneti kapacitás: 250 pF
Rds ? - Maximális drain-source bekapcsolt állapotbeli ellenállás: 2 Ohm
Regisztráció időpontja: 2009.04.08.
Értékelés eladóként: 99.27% Értékelés vevőként: 99.69%
Típusjelölő: IRFPG50
Tranzisztor típusa: MOSFET
Vezérlőcsatorna típusa: N-csatorna
Pd ? - Maximális teljesítményveszteség: 190 W
|Vds|? - Maximális drain-source feszültség: 1000 V
|Vgs|? - Maximális gate-source feszültség: 20 V
|Id| ? - Maximális drain áram: 6,1 A
Tj ? - Maximális csatlakozási hőmérséklet: 150 °C
tr ? - Emelkedési idő: 35 nS
Coss? - Kimeneti kapacitás: 250 pF
Rds ? - Maximális drain-source bekapcsolt állapotbeli ellenállás: 2 Ohm